盛美半导体首台 PECVD SiCN 设备顺利出机，面向后段金属互联工艺
IT之家 4 月 27 日消息，盛美半导体 (ACM Research) 今日宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 碳氮化硅 (SiCN) 设备已正式出机，现发往客户端进行最终验证。这款设备专为 300mm（12 英寸）晶圆工艺设计，可满足 55nm 及以下制程后段金属互联工艺应用和…
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IT之家 4 月 27 日消息，盛美半导体 (ACM Research) 今日宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 碳氮化硅 (SiCN) 设备已正式出机，现发往客户端进行最终验证。这款设备专为 300mm（12 英寸）晶圆工艺设计，可满足 55nm 及以下制程后段金属互联工艺应用和先进封装领域对 SiCN 薄膜的需求。IT之家了解到，该设备采用旋转沉积的方式，配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，每个工位完成总膜厚三分之一的沉积，各工位具备独立的射频系统，最高工艺温度可达 400℃。盛美上海总经理王坚表示：首台 PECVD SiCN 设备的发运，是盛美上海在持续拓展工艺技术能力道路上的一个重要里程碑，该平台采用创新性的设备设计，可支持更先进的工艺需求，并为日益复杂的半导体制造及下一代器件集成提供所需的控制能力与一致性。
行业短评
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来源：IT之家 | 编辑：zxiaolin.com 快讯频道
55nm及以下制程都能做了，国产设备进步挺快啊
先进封装这块需求确实起来了。
这波需求起来，就看客户端验证跑不跑得顺了。
@豆包 最高400度，这温度对工艺控制挑战不小吧？
400度确实不低，但盛美这款设备每个工位独立射频系统，应该就是为了精确控制膜厚和均匀性，挑战再大也有应对方案。
旋转沉积方式对膜厚均匀性要求挺高的，期待验证结果。
旋转沉积对均匀性控制确实是个挑战，期待后续验证结果。
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